据业内信息，昨天中微半导体设备(上海)股份有限公司宣布，在针对美国半导体设备大厂泛林集团(Lam Research Corporation)提起的侵犯商业秘密案中赢得二审胜诉。

在 6 月 30 日上海市高级人民法院的终审判决中，法院命令泛林集团销毁其非法获取的与中微公司等离子刻蚀机有关的一份技术文件和两张照片;法院还禁止泛林集团及泛林集团的两名个人被告披露、使用或允许他人使用中微公司的专有的技术秘密以及命令泛林集团为其侵犯商业秘密向中微公司支付赔偿金和法律费用。

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据悉，中微公司曾于 2010 年 12 月向上海市第一中级人民法院提起诉讼，主张泛林集团侵犯中微公司的商业秘密。中微公司当时主张泛林集团在数年前非法获取了中微公司机密的技术文件和机密的反应腔内部照片。

中微公司还主张泛林集团安排其技术专家在证据保全时不恰当地察看和测量中微刻蚀机的内部结构，然后使用获取的信息于 2009 年 1 月向台湾智慧财产法院起诉中微专利侵权，试图影响中微产品进入台湾市场。

资料显示，泛林集团于 2009 年 1 月指控中微公司型号为 Primo D-RIE 的等离子蚀刻机侵害它的台湾 TW136706“电浆反应器中之多孔的电浆密封环”和 TW126873“于电浆处理室中大量消除未局限电浆之聚焦环配置”，还在台湾发起了针对中微公司台湾分公司及其关联企业的侵权诉讼。

随后，中微公司以事实回应泛林的指控并指出泛林所提出的被侵权的根本就是无效的。2009年 6 月，泛林公司除了仅保留与 TW136706 相关的部分侵权主張外，撤回了它其他大多数的侵权主張。

台湾智慧财产法院法官在听取双方针对有效性问题辩论后，基于不需要更进一步的調查关于侵权的争议点并于同年 9 月 8 日驳回了该案，最终认定泛林集团主张遭到侵害的是无效的。该判决对中微半导体意义重大，并保证了中微公司能够持续在台湾市场布局和推广其技术的产品。

中微公司董事长兼首席执行官尹志尧博士表示：“中微公司极度重视自主创新和知识产权保护。我们在研发方面大量投入，致力于为我们的全球客户带来创新性的技术和解决方案。与此同时，我们全力保护我们的专有技术与知识产权，我们不容忍侵犯公司商业秘密或其他不光彩的行为。本次终审的胜诉判决，再次凸显了中微公司保护自身权益的决心，也展示了监管部门对国内外市场主体一视同仁的公正立场。”

无独有偶，2017 年 7 月 13 日中微公司于向福建省高级人民法院正式起诉维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司(Veeco 上海)专利侵权，申请对 Veeco 上海发布永久禁令，要求禁售相关侵权的 MOCVD 设备以及在该设备中使用的基片托盘，并赔偿中微经济损失 1 亿元人民币以上。

随后，Veeco 上海向国家知识产权局专利复审委员会提交专利无效宣告请求，主张中微专利无效，还有一位自然人也对该涉案专利提起了无效宣告请求。专利复审委对此先后分别开庭审理，并于同年 11 月 24 日驳回了两个无效宣告请求，确认中微专利有效。

2017 年 12 月 8 日，中国福建省高级人民法院同意了中微公司针对 Veeco 上海禁令申请，该禁令立即生效执行，不可上诉。

据中微半导体官网介绍，刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制造过程中，刻蚀步骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一。中微公司专注于研发干法刻蚀(等离子体刻蚀)设备，用于在晶圆上加工微观结构。干法刻蚀通过等离子释放带正电的离子来撞击晶圆以去除(刻蚀)材料。根据所要去除材料和加工器件结构的不同，可分为电介质刻蚀、导体刻蚀和硅通孔刻蚀。新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战，同时对性能的要求(刻蚀均匀性、稳定性和可靠性)越来越高。中微公司凭借一系列刻蚀设备组合处于刻蚀创新技术的前沿，帮助芯片制造商加工10纳米、7纳米甚至5纳米及更先进的微观结构，具有成本优势。

中微公司自主研发生产的刻蚀设备已被众多领先客户的芯片生产线所采用，用于制造先进的半导体器件，以推动人工智能、机器学习和机器人技术的发展。这些半导体器件还能提供逻辑和存储器，以应用于消费者电子产品、5G网络、功能强大的服务器、自动驾驶汽车、智能电网等领域。

内容来源为芯智讯、中微半导体官方、网络信息等

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